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三氯氫硅還原法制取高純硅的化學原理
SiHCl3的合成 第一步：由硅石制取粗硅 硅石（SiO2）和適量的焦炭混合，并在電爐內加熱至1600~1800℃ 可制得純度為95%~99%的粗硅。其反應式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑ 總反應式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑ 生成的硅由電爐底部放出，澆鑄成錠。用此法生產的粗硅經酸處理后，其純度可達到99.9%。 第二步：SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氫氣體和粗硅粉在合成更多 +
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硅烷熱分解法制取高純硅的化學原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質中反應生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質，還更多 +
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四氯化硅氫還原法制取高純硅的化學原理
工業粗硅氯化生產四氯化硅 目前，四氯化硅的工業處理工藝一般為直接氯化工藝，即工業粗硅在加熱條件下與氯直接反應生成四氯化硅。在工業上常用的不銹鋼（或石英）氯化爐中，硅鐵被裝入氯化爐。氯從氯化爐底部引入，當加熱到200~300℃時，反應開始產生SiCl4。化學反應如下： Si-2Cl2、SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態從熔爐上部轉移到電容器，以液體狀態冷卻，然后流入儲罐。 在生產中，氯化溫度一般控制在450～500℃，一方面可以提高生產率，另一方面可以保證質量。因為溫度低時反應速度慢，副產物S更多 +
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怎么來合理的降低氯化氫的生產成本
用酒精代替水從化學產品制造過程中排放的廢氣中吸收氯化氫；乙醇的化學通式為ROH，其中R為1-8個碳原子；當吸收鍋爐中的氯化氫溶于乙醇并達到飽和時，將飽和溶液放入帶電容器的反應鍋爐中，在40~190℃常壓下排放氯化氫。 排出氯化氫后，將反應器內溶液溫度升至50~210℃，并在常壓下排出溶液中多余的酒精；多余的酒精排出后，將反應容器中含有堿性物質的殘留物中和至pH 6.5～7.0，然后分層、排水并用沉淀法蒸餾，得到殘留物的成品。 吸收和使用廢氣氯化氫可以減少環境污染和生產成本。更多 +
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濃鹽酸在蒸餾時只能部分獲得氯化氫氣體
由于氯化氫和水形成共沸物，濃縮鹽酸在蒸餾過程中只能部分獲得氯化氫氣體，并產生大量由共沸物組成的稀鹽酸。 因此，在該過程中，使用由脫附塔底部共沸組分組成的稀鹽酸作為氯化氫氣體的吸收液。吸收得到的濃鹽酸一部分用作鹽酸氣體的洗滌液，另一部分用作解吸塔的原料。洗滌過程中產生的混合酸作為商品出售。 來自硫酸鉀裝置反應爐的氣體（氯化氫和雜質）經空冷器冷卻后，首先進入冷卻洗滌器和洗滌器（包裝塔），然后進入吸收塔（降膜塔），經濃鹽酸洗滌，除去氯化鉀和硫酸。 在常壓下，使用稀釋的鹽酸作為吸收溶液。二級吸收后，在更多 +
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氧氣是不是越純越好？
氧氣是空氣的一種成分，無色、無臭、無味。氧氣密度高于空氣密度，在標準條件下（0℃，大氣壓101325 Pa）為1.429 g/l。大規模生產氧氣的過程是液態空氣的分餾。首先，空氣被壓縮，膨脹后凍結為液態空氣。由于稀有氣體和氮氣的沸點低于氧氣的沸點，剩余的液氧可以在分餾后儲存在高壓鋼瓶中。所有氧化反應和燃燒過程都需要氧氣。例如，在鋼鐵生產過程中，硫、磷和其他雜質被去除。燃燒時氧氣和乙炔混合物的溫度高達3500℃，用于焊接和切割鋼材。玻璃生產、水泥生產、礦物焙燒和碳氫化合物加工都需要氧氣。液氧也用作火箭燃料更多 +
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正丁烯的制備方法及安全風險
制備方法： 主要從工業C4餾分中提取。不同來源的C4餾分中丁烯含量（質量）不同。催化裂化C4餾分含有約13%的1-丁烯、12%的順-2-丁烯和13%的反-2-丁二烯；裂解C4餾分含有約14%的1-丁烯、5%的順-2-丁烯和6%的反-2-丁二烯。從C4餾分中分離丁烯的不同異構體時，通常先分離丁二烯和異丁烯，然后對剩余物質進行精餾（或異構化、吸附等），得到純度大于99%的1-丁烯。丁烯的三種異構體可以用作某些化學應用的原料（例如水合生成仲丁醇），而丁烷和異丁烷作為惰性物質不會影響反應。因此，在這些情況下，更多 +
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氬氣瓶的安全運輸原則
1.運輸工具必須安全可靠。 2.必須佩戴鋼瓶蓋（帶保護罩的鋼瓶除外）和防震環（帶容器的鋼瓶例外），并小心裝卸鋼瓶。嚴禁拋擲、滑動、滾動和觸摸。 3.起吊過程中，嚴禁使用電磁起重機和金屬鏈繩。 4.氬氣瓶內的氣瓶相互接觸，可能引起燃燒、爆炸和中毒，不得在同一車輛（車廂）內運輸；易燃、易燃、腐蝕性物體或與瓶內氣體發生反應的物體不得與氬氣瓶一起運輸。 5.如果車輛用于運輸，氬氣瓶應妥善固定。如果垂直安裝，托架高度應大于瓶子高度的2/3。水平放置時，瓶子的閥端應指向一側。堆疊高度不得超過五層和車廂高更多 +
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如何控制CO2氣體焊接飛濺太大的問題
根據不同熔滴過渡形式下飛濺的不同成因，應采用不同的降低飛濺的不同成因，應采用不同的降低飛濺的方法： 1.在無熔滴傳輸過程中，應選擇合適的焊接電流和焊接電壓參數，避免使用大熔滴排除傳輸；同時，應選擇優質的焊接材料，如H08Mn2SiA低碳焊絲和脫氧元素Mn和Si，以避免焊接材料因冶金反應產生氣體沉淀或膨脹而產生飛濺水。 2.短路過渡期間（Ar+CO2），可使用混合氣體代替CO2，以減少飛濺水。如果φ（Ar）=20%~30%Ar相連，這是由于電弧形狀和熔滴過渡特性隨氬氣含量增加而變化。在電弧燃燒更多 +
