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電子硅烷氣體與半導體行業(yè)的不解之緣
電子級硅烷氣是半導體行業(yè)不可或缺的材料，廣泛應用于半導體制造的化學氣相沉積等工藝中。隨著中國集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，電子硅烷氣的需求不斷增加，為該領域帶來了重要的驅(qū)動力。然而，目前我國仍面臨集成電路本地化的挑戰(zhàn)，但市場前景依然廣闊。武漢紐瑞德特種氣體公司銷售的電子級硅烷氣純度高達99.999%，為客戶提供專業(yè)的氣體指導和安全使用保障。更多 +
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硅烷充裝要求與注意事項
了解硅烷充裝的規(guī)范要求和安全注意事項，辦理移動式壓力容器充裝許可證，選擇合格的氣瓶，確保硅烷的安全用氣。硅烷是一種易燃氣體，充裝過程需要嚴格遵循相關標準和規(guī)定，切勿忽視安全。在充裝過程中，要注意氣瓶的質(zhì)量和充裝壓力，避免發(fā)生火災和爆炸等危險情況。當出現(xiàn)問題時，及時切斷氣源，并采取適當?shù)臏缁鸫胧＾k理許可證時，要提供合格證書和技術(shù)指標等相關資料。了解以上知識，選擇信譽正規(guī)的供應商，確保您的安全用氣。-更多 +
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硅烷中混入氮氣會怎么樣
硅烷燃燒過程中加入氮氣不僅提高產(chǎn)物純度，還能減少有害氣體排放，增加硅的產(chǎn)量。氮氣供應方式主要有液氮和氣態(tài)氮，通過儲罐和壓縮機提供。加氮技術(shù)在硅烷生產(chǎn)中具有重要的應用前景。更多 +
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總投資1.63億元！年產(chǎn)5000噸電子級硅烷氣及配套儲氫項目報批
宜昌南玻硅材料有限公司已完成報批手續(xù)，投資1.63億元建設年產(chǎn)5000噸的電子級硅烷氣及其配套儲氫項目。該項目將改建生產(chǎn)線并購置新設備，成為中國電子級硅烷氣生產(chǎn)的龍頭企業(yè)。一旦建成，將實現(xiàn)年產(chǎn)5000噸電子級硅烷氣和1000m3制氫儲能。更多 +
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硅烷SiH4化學品安全技術(shù)說明書MSDS
硅烷SiH4化學品安全技術(shù)說明書MSDS 硅烷,硅烷氣體,硅烷標準氣體,硅烷混合氣體 第一部分：化學品名稱化學品中文名稱： 硅烷msds；甲硅烷；四氫化硅化學品英文名稱： Silane；Silicon tetrahydride中文俗名或商品名： Synonyms：CAS No.： 7803-62-5分子式： SiH4分子量： 32.12第二部分：成分/組成信息有害物成分 含量 CAS No.甲硅烷 7803-62-5第三更多 +
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三氯氫硅SiHCl3化學品安全技術(shù)說明書MSDS
三氯氫硅SiHCl3化學品安全技術(shù)說明書MSDS 三氯氫硅,三氯氫硅氣體,三氯氫硅標準氣體,三氯氫硅混合氣體 第1部分 化學品化學品中文名：三氯氫硅MSDS別名：三氯硅烷；硅仿；硅氯仿化學品英文名：trichlorosilane；silicochloroform產(chǎn)品推薦及限制用途：用于生產(chǎn)有機硅的中間體。第2部分 危險性概述 緊急情況概述：遇明火強烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應，有燃燒危險。吞咽有害，吸 入有害，造成嚴重的皮膚灼傷和眼損傷，造成更多 +
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二氯硅烷H2Cl2Si化學品安全技術(shù)說明書MSDS
二氯硅烷H2Cl2Si化學品安全技術(shù)說明書MSDS 二氯硅烷,二氯硅烷氣體,二氯硅烷標準氣體,二氯硅烷混合氣體 一、標識中文名稱：二氯硅烷msds英文名稱：dichlorosilane分子式：SiH2Cl2分子量：101.01二、 成分/組成信息有害成分：二氯硅烷濃度：CAS NO.：4109-96-0三、危險性概述危險性類別：侵入途徑： 健康危害：對上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性。本品遇水或空氣中的水份迅速水解形成氯化氫（鹽酸）。鹽 酸可致皮膚灼傷和粘膜刺激。接更多 +
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氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質(zhì)上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規(guī)格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關系。 顯示了兩個不同的增長區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數(shù)關系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關系，表明它們受質(zhì)量傳輸更多 +
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硅烷熱分解法制取高純硅的化學原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質(zhì)，還更多 +
