在信息時代的飛速發展中，海量數據的處理不僅對于芯片算力提出越來越高的要求，不斷累積的數據也需要更大、更快、延時更低的存儲介質。電子工業中氪氙氣體主要用于3D NAND存儲器高深寬比刻蝕工藝，從而實現多層堆疊結構。預計2025年全球電子級稀氪氖氙氣體用量將增加至850ML，較2020年增長29%。
激光氣體主要用于電子工業中激光退火和光刻氣。光刻機是半導體制造的核心設備，光刻定義了晶體管尺寸，光刻產業鏈協同發展是光刻機突破關鍵。與之配套的光刻膠、光刻氣體、光罩等半導體材料和涂膠顯影設備等都擁有較高的科技含量。光刻氣體是光刻機產生深紫外激光的氣體。不同的光刻氣體能產生不同波長的光源，其波長直接影響了光刻機的分辨率，是光刻機的核心之一。
由于手機屏幕創新和應用領域擴張，低溫多晶硅市場規模將進一步擴大，激光退火工藝顯著提高了TFT的性能。制造半導體的ArF準分子激光使用的氖、氟、氬氣體中，氖氣占激光氣體混合物的96%以上。隨著半導體工藝的精細化，準分子激光的使用量有所增加，加之雙重曝光技術的引入，ArF準分子激光消耗的氖氣需求劇增。得益于電子特種氣體國產化的推動，未來，國內廠商有較好的市場成長空間。
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